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Beschreibung
Dipl.-Phys. U. GUnther und Dipl.-Ing. J. Freyer mitge wirkt. Die kritische Durchsicht des Manuskriptes besorgten die Herren Dipl.-Ing. J. Freyer. Dipl.-Phys. D. Ullrich und cand.-phys. H. Probst.
Dipl.-Phys. U. GUnther und Dipl.-Ing. J. Freyer mitge wirkt. Die kritische Durchsicht des Manuskriptes besorgten die Herren Dipl.-Ing. J. Freyer. Dipl.-Phys. D. Ullrich und cand.-phys. H. Probst.
Über den Autor
Prof. Dr. Wolfgang Harth
Technische Universität München
Unter Mitwirkung von
J. Freyer
München
Technische Universität München
Unter Mitwirkung von
J. Freyer
München
Inhaltsverzeichnis
1. Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid.- 1.1. Silizium.- 1.2. Galliumarsenid (GaAs).- 2. Reinigung beim Erstarren einer Schmelze.- 2.1. Phasendiagramme binärer Systeme.- 2.2. Einfache Erstarrung.- 2.3. Zonenerstarrung.- 2.4. Ausführungsformen des Zonenschmelzens.- 3. Methoden der Einkristall-Herstellung.- 3.1. Wachstum aus der Schmelze.- 3.2. Wachstum aus der Lösung.- 3.3. Wachstum aus der Gasphase.- 4. Kristallbearbeitung.- 4.1. Sägen.- 4.2. Oberflächenbehandlung.- 5. Herstellung von pn-Übergängen und Leitfähigkeitsprofilen.- 5.1. Übersicht.- 5.2. Legierungsverfahren.- 5.3. Diffusionsverfahren.- 5.4. Epitaxieverfahren.- 5.5. Ionenimplantation.- 5.6. Charakterisierung von Übergängen und Profilen.- 6. Planartechnologie.- 6.1. Übersicht.- 6.2. Herstellung von Isolatorschichten.- 6.3. Ätzung der Isolatorschichten.- 6.4. Photolack-Technik.- 6.5. Ausbeute bei integrierten Schaltungen.- 7. Kontakte, Montage und Kontaktierung.- 7.1. Ohmsche und sperrende Metall-Halbleiter - und Halbleiter-Halbleiter-Übergänge.- 7.2. Kontakte auf Silizium.- 7.3. Kontakte auf GaAs.- 7.4. Montage und Kontaktierung.- 8. Fertigungsbeispiele.- 8.1. Planartransistor.- 8.2. Feldeffekt-Transistoren (FET).- 8.3. Widerstände.- 8.4. Kondensatoren.- 9. Anhang.- 9.1. Zusammenstellung wichtiger physikalischer Daten einiger Halbleiter.- 9.2. Kristallstruktur.- 9.3. Störstellenniveaus in Si und GaAs.- 9.4. Einige Eigenschaften von pn-Übergängen.- 9.5. Lawinendurchbruch am pn-Übergang.- 9.6 Physikalische Konstanten.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
Details
Erscheinungsjahr: | 1981 |
---|---|
Fachbereich: | Allgemeines |
Genre: | Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik |
Rubrik: | Naturwissenschaften & Technik |
Medium: | Taschenbuch |
Inhalt: |
135 S.
38 s/w Illustr. 135 S. 38 Abb. |
ISBN-13: | 9783519100546 |
ISBN-10: | 3519100541 |
Sprache: | Deutsch |
Einband: | Kartoniert / Broschiert |
Autor: | Harth, Wolfgang |
Auflage: | 2. überarb. Auflage 1981 |
Hersteller: |
Vieweg & Teubner
Vieweg+Teubner Verlag |
Verantwortliche Person für die EU: | Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com |
Maße: | 203 x 127 x 8 mm |
Von/Mit: | Wolfgang Harth |
Erscheinungsdatum: | 01.01.1981 |
Gewicht: | 0,159 kg |
Über den Autor
Prof. Dr. Wolfgang Harth
Technische Universität München
Unter Mitwirkung von
J. Freyer
München
Technische Universität München
Unter Mitwirkung von
J. Freyer
München
Inhaltsverzeichnis
1. Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid.- 1.1. Silizium.- 1.2. Galliumarsenid (GaAs).- 2. Reinigung beim Erstarren einer Schmelze.- 2.1. Phasendiagramme binärer Systeme.- 2.2. Einfache Erstarrung.- 2.3. Zonenerstarrung.- 2.4. Ausführungsformen des Zonenschmelzens.- 3. Methoden der Einkristall-Herstellung.- 3.1. Wachstum aus der Schmelze.- 3.2. Wachstum aus der Lösung.- 3.3. Wachstum aus der Gasphase.- 4. Kristallbearbeitung.- 4.1. Sägen.- 4.2. Oberflächenbehandlung.- 5. Herstellung von pn-Übergängen und Leitfähigkeitsprofilen.- 5.1. Übersicht.- 5.2. Legierungsverfahren.- 5.3. Diffusionsverfahren.- 5.4. Epitaxieverfahren.- 5.5. Ionenimplantation.- 5.6. Charakterisierung von Übergängen und Profilen.- 6. Planartechnologie.- 6.1. Übersicht.- 6.2. Herstellung von Isolatorschichten.- 6.3. Ätzung der Isolatorschichten.- 6.4. Photolack-Technik.- 6.5. Ausbeute bei integrierten Schaltungen.- 7. Kontakte, Montage und Kontaktierung.- 7.1. Ohmsche und sperrende Metall-Halbleiter - und Halbleiter-Halbleiter-Übergänge.- 7.2. Kontakte auf Silizium.- 7.3. Kontakte auf GaAs.- 7.4. Montage und Kontaktierung.- 8. Fertigungsbeispiele.- 8.1. Planartransistor.- 8.2. Feldeffekt-Transistoren (FET).- 8.3. Widerstände.- 8.4. Kondensatoren.- 9. Anhang.- 9.1. Zusammenstellung wichtiger physikalischer Daten einiger Halbleiter.- 9.2. Kristallstruktur.- 9.3. Störstellenniveaus in Si und GaAs.- 9.4. Einige Eigenschaften von pn-Übergängen.- 9.5. Lawinendurchbruch am pn-Übergang.- 9.6 Physikalische Konstanten.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
Details
Erscheinungsjahr: | 1981 |
---|---|
Fachbereich: | Allgemeines |
Genre: | Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik |
Rubrik: | Naturwissenschaften & Technik |
Medium: | Taschenbuch |
Inhalt: |
135 S.
38 s/w Illustr. 135 S. 38 Abb. |
ISBN-13: | 9783519100546 |
ISBN-10: | 3519100541 |
Sprache: | Deutsch |
Einband: | Kartoniert / Broschiert |
Autor: | Harth, Wolfgang |
Auflage: | 2. überarb. Auflage 1981 |
Hersteller: |
Vieweg & Teubner
Vieweg+Teubner Verlag |
Verantwortliche Person für die EU: | Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com |
Maße: | 203 x 127 x 8 mm |
Von/Mit: | Wolfgang Harth |
Erscheinungsdatum: | 01.01.1981 |
Gewicht: | 0,159 kg |
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