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Halbleitertechnologie
Taschenbuch von Wolfgang Harth
Sprache: Deutsch

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Beschreibung
Dipl.-Phys. U. GUnther und Dipl.-Ing. J. Freyer mitge­ wirkt. Die kritische Durchsicht des Manuskriptes besorgten die Herren Dipl.-Ing. J. Freyer. Dipl.-Phys. D. Ullrich und cand.-phys. H. Probst.
Dipl.-Phys. U. GUnther und Dipl.-Ing. J. Freyer mitge­ wirkt. Die kritische Durchsicht des Manuskriptes besorgten die Herren Dipl.-Ing. J. Freyer. Dipl.-Phys. D. Ullrich und cand.-phys. H. Probst.
Über den Autor
Prof. Dr. Wolfgang Harth

Technische Universität München

Unter Mitwirkung von

J. Freyer

München
Inhaltsverzeichnis
1. Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid.- 1.1. Silizium.- 1.2. Galliumarsenid (GaAs).- 2. Reinigung beim Erstarren einer Schmelze.- 2.1. Phasendiagramme binärer Systeme.- 2.2. Einfache Erstarrung.- 2.3. Zonenerstarrung.- 2.4. Ausführungsformen des Zonenschmelzens.- 3. Methoden der Einkristall-Herstellung.- 3.1. Wachstum aus der Schmelze.- 3.2. Wachstum aus der Lösung.- 3.3. Wachstum aus der Gasphase.- 4. Kristallbearbeitung.- 4.1. Sägen.- 4.2. Oberflächenbehandlung.- 5. Herstellung von pn-Übergängen und Leitfähigkeitsprofilen.- 5.1. Übersicht.- 5.2. Legierungsverfahren.- 5.3. Diffusionsverfahren.- 5.4. Epitaxieverfahren.- 5.5. Ionenimplantation.- 5.6. Charakterisierung von Übergängen und Profilen.- 6. Planartechnologie.- 6.1. Übersicht.- 6.2. Herstellung von Isolatorschichten.- 6.3. Ätzung der Isolatorschichten.- 6.4. Photolack-Technik.- 6.5. Ausbeute bei integrierten Schaltungen.- 7. Kontakte, Montage und Kontaktierung.- 7.1. Ohmsche und sperrende Metall-Halbleiter - und Halbleiter-Halbleiter-Übergänge.- 7.2. Kontakte auf Silizium.- 7.3. Kontakte auf GaAs.- 7.4. Montage und Kontaktierung.- 8. Fertigungsbeispiele.- 8.1. Planartransistor.- 8.2. Feldeffekt-Transistoren (FET).- 8.3. Widerstände.- 8.4. Kondensatoren.- 9. Anhang.- 9.1. Zusammenstellung wichtiger physikalischer Daten einiger Halbleiter.- 9.2. Kristallstruktur.- 9.3. Störstellenniveaus in Si und GaAs.- 9.4. Einige Eigenschaften von pn-Übergängen.- 9.5. Lawinendurchbruch am pn-Übergang.- 9.6 Physikalische Konstanten.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
Details
Erscheinungsjahr: 1981
Fachbereich: Allgemeines
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Inhalt: 135 S.
38 s/w Illustr.
135 S. 38 Abb.
ISBN-13: 9783519100546
ISBN-10: 3519100541
Sprache: Deutsch
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Harth, Wolfgang
Auflage: 2. überarb. Auflage 1981
Hersteller: Vieweg & Teubner
Vieweg+Teubner Verlag
Verantwortliche Person für die EU: Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com
Maße: 203 x 127 x 8 mm
Von/Mit: Wolfgang Harth
Erscheinungsdatum: 01.01.1981
Gewicht: 0,159 kg
Artikel-ID: 101469154
Über den Autor
Prof. Dr. Wolfgang Harth

Technische Universität München

Unter Mitwirkung von

J. Freyer

München
Inhaltsverzeichnis
1. Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid.- 1.1. Silizium.- 1.2. Galliumarsenid (GaAs).- 2. Reinigung beim Erstarren einer Schmelze.- 2.1. Phasendiagramme binärer Systeme.- 2.2. Einfache Erstarrung.- 2.3. Zonenerstarrung.- 2.4. Ausführungsformen des Zonenschmelzens.- 3. Methoden der Einkristall-Herstellung.- 3.1. Wachstum aus der Schmelze.- 3.2. Wachstum aus der Lösung.- 3.3. Wachstum aus der Gasphase.- 4. Kristallbearbeitung.- 4.1. Sägen.- 4.2. Oberflächenbehandlung.- 5. Herstellung von pn-Übergängen und Leitfähigkeitsprofilen.- 5.1. Übersicht.- 5.2. Legierungsverfahren.- 5.3. Diffusionsverfahren.- 5.4. Epitaxieverfahren.- 5.5. Ionenimplantation.- 5.6. Charakterisierung von Übergängen und Profilen.- 6. Planartechnologie.- 6.1. Übersicht.- 6.2. Herstellung von Isolatorschichten.- 6.3. Ätzung der Isolatorschichten.- 6.4. Photolack-Technik.- 6.5. Ausbeute bei integrierten Schaltungen.- 7. Kontakte, Montage und Kontaktierung.- 7.1. Ohmsche und sperrende Metall-Halbleiter - und Halbleiter-Halbleiter-Übergänge.- 7.2. Kontakte auf Silizium.- 7.3. Kontakte auf GaAs.- 7.4. Montage und Kontaktierung.- 8. Fertigungsbeispiele.- 8.1. Planartransistor.- 8.2. Feldeffekt-Transistoren (FET).- 8.3. Widerstände.- 8.4. Kondensatoren.- 9. Anhang.- 9.1. Zusammenstellung wichtiger physikalischer Daten einiger Halbleiter.- 9.2. Kristallstruktur.- 9.3. Störstellenniveaus in Si und GaAs.- 9.4. Einige Eigenschaften von pn-Übergängen.- 9.5. Lawinendurchbruch am pn-Übergang.- 9.6 Physikalische Konstanten.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
Details
Erscheinungsjahr: 1981
Fachbereich: Allgemeines
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Inhalt: 135 S.
38 s/w Illustr.
135 S. 38 Abb.
ISBN-13: 9783519100546
ISBN-10: 3519100541
Sprache: Deutsch
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Harth, Wolfgang
Auflage: 2. überarb. Auflage 1981
Hersteller: Vieweg & Teubner
Vieweg+Teubner Verlag
Verantwortliche Person für die EU: Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com
Maße: 203 x 127 x 8 mm
Von/Mit: Wolfgang Harth
Erscheinungsdatum: 01.01.1981
Gewicht: 0,159 kg
Artikel-ID: 101469154
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