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Cover: 9783540558675 | MOS-Feldeffekttransistoren | Reinhold Paul | Taschenbuch | x | Deutsch
Rückseite: 9783540558675 | MOS-Feldeffekttransistoren | Reinhold Paul | Taschenbuch | x | Deutsch
Cover: 9783540558675 | MOS-Feldeffekttransistoren | Reinhold Paul | Taschenbuch | x | Deutsch
Rückseite: 9783540558675 | MOS-Feldeffekttransistoren | Reinhold Paul | Taschenbuch | x | Deutsch
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MOS-Feldeffekttransistoren
Taschenbuch von Reinhold Paul
Sprache: Deutsch

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Beschreibung
Dr. W. Heywang und Prof. Dr. R. Miiller fUr fordernde Diskussionen zu diesem Projekt, vor aHem aber auch fUr die geduldige Nachsicht, daB das Manuskript nicht so rasch abgeschlossen werden konnte, wie urspriinglich geplant.
Dr. W. Heywang und Prof. Dr. R. Miiller fUr fordernde Diskussionen zu diesem Projekt, vor aHem aber auch fUr die geduldige Nachsicht, daB das Manuskript nicht so rasch abgeschlossen werden konnte, wie urspriinglich geplant.
Inhaltsverzeichnis
1. Der MOS-Feldeffektransistor, das wichtigste Bauelement innerhalb der Familie der Feldeffekttransistoren.- 2. Der MOS-Transistor als Funktionselement. Grundlagen, Wirkprinzip und Kennlinienmodell.- 2.1 Der MOS-Zweipol.- 2.2 Der MOS-Transitor. Grundlegende Kennlinieneigenschaften.- 2.3 Verbesserte Modellierung.- 2.4 Der MOSFET bei abnehmenden Geometrien. Kurzkanal- und Schmalkanaleffekte. Submikrometertransistor.- 3. Der MOSFET im dynamischen Betrieb.- 3.1 Kleinsignal verhalten für tiefe Frequenzen.- 3.2 Signalverhalten im quasistationären Betrieb.- 3.3 Dynamisches Verhalten.- 3.4 MOSFET-Modelle für den Schaltungsentwurf.- 3.5 Schalt- und Impulsverhalten.- 4. Bauformen des MOSFET.- 4.1 Der MOSFET in integrierten Schaltungen.- 4.2 Speicherfeldeffekttransistoren.- 4.3 MOS-Leistungsbauelemente.- 4.4 Temperaturverhalten.
Details
Erscheinungsjahr: 1994
Fachbereich: Nachrichtentechnik
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Inhalt: x
435 S.
3 s/w Illustr.
435 S. 3 Abb.
ISBN-13: 9783540558675
ISBN-10: 3540558675
Sprache: Deutsch
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Paul, Reinhold
Hersteller: Springer-Verlag GmbH
Springer Berlin Heidelberg
Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, D-69121 Heidelberg, juergen.hartmann@springer.com
Maße: 235 x 155 x 25 mm
Von/Mit: Reinhold Paul
Erscheinungsdatum: 04.02.1994
Gewicht: 0,674 kg
Artikel-ID: 104317893
Inhaltsverzeichnis
1. Der MOS-Feldeffektransistor, das wichtigste Bauelement innerhalb der Familie der Feldeffekttransistoren.- 2. Der MOS-Transistor als Funktionselement. Grundlagen, Wirkprinzip und Kennlinienmodell.- 2.1 Der MOS-Zweipol.- 2.2 Der MOS-Transitor. Grundlegende Kennlinieneigenschaften.- 2.3 Verbesserte Modellierung.- 2.4 Der MOSFET bei abnehmenden Geometrien. Kurzkanal- und Schmalkanaleffekte. Submikrometertransistor.- 3. Der MOSFET im dynamischen Betrieb.- 3.1 Kleinsignal verhalten für tiefe Frequenzen.- 3.2 Signalverhalten im quasistationären Betrieb.- 3.3 Dynamisches Verhalten.- 3.4 MOSFET-Modelle für den Schaltungsentwurf.- 3.5 Schalt- und Impulsverhalten.- 4. Bauformen des MOSFET.- 4.1 Der MOSFET in integrierten Schaltungen.- 4.2 Speicherfeldeffekttransistoren.- 4.3 MOS-Leistungsbauelemente.- 4.4 Temperaturverhalten.
Details
Erscheinungsjahr: 1994
Fachbereich: Nachrichtentechnik
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Inhalt: x
435 S.
3 s/w Illustr.
435 S. 3 Abb.
ISBN-13: 9783540558675
ISBN-10: 3540558675
Sprache: Deutsch
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Paul, Reinhold
Hersteller: Springer-Verlag GmbH
Springer Berlin Heidelberg
Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, D-69121 Heidelberg, juergen.hartmann@springer.com
Maße: 235 x 155 x 25 mm
Von/Mit: Reinhold Paul
Erscheinungsdatum: 04.02.1994
Gewicht: 0,674 kg
Artikel-ID: 104317893
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